MSDP單極脈衝（chōng）磁控濺射電源

主要型號：

主要特（tè）點（diǎn）：
   A 明顯改善靶麵電荷積累現（xiàn）象，減小濺射表麵的打火次數（shù），提高膜層質量。
   B 具有平（píng）均電源穩定功能，具有理想的電壓（yā）陡降特性，
充分滿（mǎn）足（zú）磁控濺（jiàn）射工藝過程的連續性。
   C 空載電壓≥1000V，工作（zuò）電壓200~800V。
   D 頻率40kHz，占空比20%~80%。
   E 可選擇手動控製/模擬量接口控製，可選配RS485通訊接口。
采用先進的PWM脈寬調製技術，使用進口IGBT或（huò）MOSFET作為功率開關器件，
體積小、重量輕、功能全、性能穩定可（kě）靠，生產工藝嚴格完善。
該係列產品采用（yòng）先進的DSP控製係統，充分（fèn）保證鍍膜工藝的重複性，
並且具有抑製靶材弧光放電及抗（kàng）短路功（gōng）能，
具有極佳的負載匹配能力（lì），既保證了靶麵清洗工藝的穩（wěn）定性，又提高了（le）靶麵清洗（xǐ）速度（dù）；
主要參數均可大範圍連續調節；
方便維護（hù），可靠（kào）性高；
PLC接口和RS485接口擴展功能，方便實現自動化控製。

主要用途：

單極脈衝磁控濺射適用（yòng）於金屬、合金及石墨等靶材鍍製金屬膜、碳膜和部分氧化物、氮化物及碳化物膜。

鏡片在接受鍍膜前必須（xū）進行預清洗，這種清洗要求很高（gāo），達到（dào）分子級。在清洗槽中分（fèn）別放置各種清洗液，並（bìng）采用超聲波加強清洗效（xiào）果（guǒ），當鏡片清洗完後，放進真空艙內，在此過程中（zhōng）要特別注（zhù）意（yì）避免空氣中的灰塵和垃圾再黏附在鏡片表麵。最（zuì）後的（de）清洗是（shì）在真空艙內，在（zài）此過程中要特別注意避免空氣中的灰塵和垃（lā）圾再黏附在鏡片表（biǎo）麵。最後的清洗是在真空艙內鍍前進行的，放置在真空艙內的離（lí）子槍將轟擊鏡片的表麵（例如用氬離子），完成此道清洗工序後即進行減反射膜的鍍膜（mó）。

真（zhēn）空鍍膜電源為什麽在現在（zài）會（huì）應用那麽多（duō）呢，有哪些明顯的效果？

概念的區別：

1、真空鍍（dù）膜是指在高真空的（de）條件下加熱金屬或非金屬材料，使其蒸發並凝結於鍍件（金屬、半導體或絕緣體（tǐ））表麵而形成薄膜（mó）的一種方法。例如，真空鍍（dù）鋁、真空鍍鉻等。

2、光學鍍膜是指在光學零（líng）件表麵上鍍上一層(或多層)金屬(或（huò）介質)薄膜的工藝過程。在光學零件表麵鍍膜的目的是（shì）為了達到減少或（huò）增加光的反射、分束、分色、濾光（guāng）、偏振等要求。常用的鍍膜法有真空鍍（dù）膜(物理鍍膜（mó）的一種)和化學鍍膜。