MSB中頻磁控濺射真空鍍膜電（diàn）源

主要型號：

主（zhǔ）要特點：

   A 采用先（xiān）進（jìn）的電流型開關電源技術，減小輸出儲能元件，
同時提高了抑製（zhì）打火及重啟速度，應用在鋁靶鍍膜優勢更為明顯。
   B 具備恒流/恒（héng）功率模（mó）式可選。恒功率模式相對於（yú）傳統的恒流模式，
更能保證鍍膜工（gōng）藝的重複性。
   C 具有理想的電壓陡降特性，自動識別偽打火現象，
充分滿足磁控濺射工藝過程（chéng）的連續性。
   D 主要參數可大範圍調節
   E 可選擇手（shǒu）動控製/模擬量接口控製，可選配RS485通訊接口。
采用先進的PWM脈寬調製技術，使用進口IGBT或MOSFET作為功率開關（guān）器件，
體積小、重量輕、功能全、性能穩定可靠，生產工藝（yì）嚴格完善。
該係列產品（pǐn）采用先進的DSP控製係統，充分（fèn）保證鍍膜（mó）工藝的重（chóng）複性（xìng），
並且具有抑製靶材弧光放電及抗短路功能，
具有極（jí）佳的負載匹配能力，既保證了靶麵清洗（xǐ）工藝的穩定性，又提高了靶麵清洗速度；
主要參（cān）數均（jun1）可大範圍連續調節（jiē）；
方（fāng）便（biàn）維護，可靠性高；
PLC接口和（hé）RS485接口（kǒu）擴展功能，方便實現自動化控製。

MSB係列雙極脈衝磁（cí）控濺射電源（yuán）（中頻電源）

主要用途：

雙極脈衝磁控濺射電源用於中頻孿生靶磁控濺（jiàn）金屬或非金屬材料，特（tè）別適合於反應磁控濺射。能增加離化率，減少電荷積累引起的異常放電，預防靶（bǎ）表麵中毒（dú）現象。

在真空鍍膜（mó）電源時，使用直流負偏壓電源，其中運用直流電源（yuán），這個電源的電子方向一直統一（yī），會導致單（dān）一品種電荷堆積過高與控製源（yuán）中（zhōng）和。也（yě）就是說（shuō）用來提供（gòng）動力的（de）正負極被中和了。然後磁控濺射將不再持續。所（suǒ）以選用（yòng）脈衝電源。

在（zài）真空中製備膜層，包含鍍製晶（jīng）態（tài）的金屬、半導體、絕緣體等單質或化合物膜。雖然化（huà）學汽相堆積也（yě）選用減壓、低壓或等離子體等真空手法，但一般真空鍍膜是指用物理的辦法堆積薄膜。真空鍍（dù）膜有三種方式，即蒸發鍍膜、濺射鍍膜和（hé）離（lí）子（zǐ）鍍。

真空鍍膜技能初現於20世紀30年代，四五十年代開端呈現工業使用，工業化大規模出產開端於20世紀80年（nián）代，在電子、宇航、包（bāo）裝、裝潢、燙金印刷等工業中獲得廣泛的使用。真空鍍膜是（shì）指在真空環（huán）境下，將某種（zhǒng）金屬或金屬化合物以氣相的方式堆積到資料外表（通常是非金屬資料），歸於物理氣相堆積（jī）工藝。由於鍍層常為金屬薄膜（mó），故也稱（chēng）真空金屬化。廣義的真空（kōng）鍍膜（mó）還包含在金屬（shǔ）或非金屬資（zī）料外表（biǎo）真空蒸鍍聚合物等非金屬功用性薄膜。在所有被鍍資（zī）猜中，以塑料樶為常見，其次，為紙張鍍膜。相對於金屬、陶瓷、木材等資料，塑料具有來曆充足、性能易於調控、加工方便（biàn）等優勢（shì），因此品種繁多的塑（sù）料或其他（tā）高分子資料作為工程裝修性（xìng）結構資料，大量使（shǐ）用於轎車、家電、日用包裝、工藝裝修等工業領域。但塑料資料大（dà）多（duō）存在外表硬度（dù）不高、外觀不行華麗、耐磨（mó）性低等缺點，如在（zài）塑料外表蒸鍍一層極薄的金（jīn）屬薄膜（mó），即可賦予塑料程亮的金屬外觀，合（hé）適（shì）的金（jīn）屬源還可大（dà）大增加資料外表耐磨性能，大大拓寬了塑（sù）料的裝修性和使用範圍。

真空鍍膜的功用是多方麵的，這（zhè）也決議（yì）了其（qí）使用場合非（fēi）常豐富。整體來說，真空鍍膜的主要（yào）功用包含賦（fù）予被鍍件外表高度金屬光澤和鏡麵（miàn）效果，在薄膜資料（liào）上使膜層具有超卓的隔絕性能（néng），提供優異的電（diàn）磁屏蔽和導電效果。