主要型號:
型號 | 功率(W) | 工作電壓(V) | 蕞大峰值電流(liú)(A) | 外形尺寸 | 冷卻方式 |
MS-10A | 400W | -40~+40 | -10~+10 | 482*175*550 (WHD)[4U] | 風冷 |
MS-20A | 800W | -40~+40 | -20~+20 | ||
MS-30A | 1200W | -40~+40 | -30~+30 |
主要特點:
A 可選擇三角波(bō)、矩形波、正弦波(bō)三種波形,波形的蕞高值和蕞低值(zhí)可獨立設(shè)置。
B輸出電壓範圍:-40V~+40V。
C波形頻率範圍:0.1-50Hz
D三角波(bō)、矩形波占空比10%~90%
E 可選擇手動控製/模擬量接口(kǒu)控製,可選配RS485通訊接口(kǒu)。
采用(yòng)先進的PWM脈寬調製技術,使用進口IGBT或(huò)MOSFET作為功率開(kāi)關器件,
體積小、重(chóng)量輕、功(gōng)能全、性能穩定可靠,生產工藝嚴格完善。
該係列產品采用先進的DSP控製係統,充分保證鍍(dù)膜工藝的重複性(xìng),
並且具有(yǒu)抑製靶材弧光放電及抗短路功能,
具有極佳的(de)負(fù)載匹配能力(lì),既保證了靶麵清洗工藝的穩定性(xìng),又(yòu)提高了靶麵清洗速度;
主要參數均可大範圍連續調節;
方便維護,可靠性高;
PLC接口和RS485接口擴展功能,方便(biàn)實現自動化控製。
主要用途:
MS係列(liè)勵磁多波形電(diàn)源選擇多種(zhǒng)電壓波(bō)形輸出。通過驅動多弧靶外圍磁場(chǎng)線圈,產(chǎn)生周期性可變磁磁場,使多(duō)弧輝光由原來的集中放(fàng)電(diàn)變為均勻放電(diàn),提高工件膜層質量(liàng)
現在工業(yè)區,在範圍上擴展的是越來越廣,跟隨w17c起草视频行業的發(fā)展,現在機械設備研發的是越來越多,當然啦,研發(fā)那(nà)麽多,在一些加工廠家肯定是要應用到的啦,在範圍上,在數量上都不會(huì)少,現在w17c起草视频來了解下真(zhēn)空鍍膜電源這項項目吧!
1、在光學儀器中:人們熟悉的光學儀(yí)器有望遠(yuǎn)鏡、顯微鏡、照相機、測距(jù)儀,以及日常生活用品中的鏡子、眼鏡(jìng)、放大鏡等,它們都離不開鍍膜技(jì)術,鍍製的薄膜有反射膜、增透膜和吸收膜等幾種。
2、在信息存儲領域中:薄膜(mó)材料作為信(xìn)息記錄於存儲介質,有(yǒu)其得天獨(dú)厚的優勢:由於薄膜很薄,可以忽略渦流損(sǔn)耗(hào);磁化(huà)反轉極為迅速;與膜麵平行的雙穩態狀態容易保持等。為了更精密地(dì)記錄與存儲信息,必然(rán)要采(cǎi)用鍍膜技術。
3、在傳感器方麵:在傳感器中,多采用那些電氣性(xìng)質相對於物理(lǐ)量、化學量及其變化來說,極為敏感(gǎn)的半導體材料。此外,其中,大(dà)多數利用的是半導(dǎo)體的表麵、界麵的性質,需要盡量增大其麵積,且能工業化、低價格製作(zuò),因(yīn)此,采用薄膜的情況很(hěn)多。
4、在集成電路製造中:晶體管路中的保護層(SiO2、Si3N4)、電極管線(多晶矽、鋁、銅及其合(hé)金)等,多是采用CVD技術、PVCD技術、真空蒸發金屬技術、磁控濺射技術和射頻濺射技術。可見(jiàn),氣相沉積是製備集成電路的核(hé)心技術之一。
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