江蘇HVB高（gāo）壓雙極清洗電（diàn）源（yuán）

主要型號：

主要特點：

   A 采（cǎi）用先進的電流型（xíng）開關（guān）電（diàn）源技術，減小輸出儲（chǔ）能元件（jiàn），
同時提高（gāo）了抑（yì）製打火及重啟（qǐ）速度。
   B 具備恒流/恒功率模（mó）式可選（xuǎn）。
   C 具有理想的電壓陡降特性，自（zì）動識別偽打（dǎ）火現象，
充（chōng）分滿足轟擊清洗過（guò）程的連（lián）續性。
   D 主要參數可大範圍調（diào）節。
   E 可選（xuǎn）擇手動控製/模擬量接口控製，可選配RS485通（tōng）訊（xùn）接口。
采用先進的PWM脈寬調製技術，使用進（jìn）口IGBT或（huò）MOSFET作為功率開關器件，
體積小、重量輕、功能全、性（xìng）能穩定可靠，生產工藝嚴格完善。
該係列產品采用先進的DSP控製係統，充分保證鍍（dù）膜工藝（yì）的重複性，
並（bìng）且具有抑（yì）製（zhì）靶材弧光放電及抗短路功能，
具有極佳的負（fù）載匹配能（néng）力，既保證了靶麵清洗工藝的穩定性，又提高了靶麵清洗速（sù）度；
主要（yào）參數均可大範圍連（lián）續調（diào）節（jiē）；
方便維（wéi）護，可靠（kào）性高；
PLC接口和RS485接口擴展功能，方便實現自動化控製。

主要用途：

MSB高（gāo）壓雙極清洗電源（yuán）適用於工（gōng）件鍍膜前的高壓轟擊清洗和（hé）鍍矽油保（bǎo）護膜。

在高技術產業化（huà）的（de）發展（zhǎn）中展現出誘人的市場前景。這種的真空鍍膜技術已在國民經（jīng）濟各個領域得到（dào）應用（yòng）。真空鍍膜技術是真空（kōng）應用技術的一個重要分（fèn）支，它已廣泛地應 用於光學、電子學、能（néng）源開發（fā）、理化儀器、建築機械、包裝、民用製品、表麵（miàn）科學以及科學研究等領域（yù）中。真空鍍膜所采（cǎi）用的方法主要有蒸發（fā）鍍．濺射鍍、離子鍍、束流沉積鍍以及分子束外延（yán）等。這種真空鍍膜電源優勢（shì）會體現的比較明顯。

選用了領先的PWM脈寬調（diào）製技術，具有傑出的動態特性和抗幹擾才能（néng），動態呼應時刻小於10mS。規劃有（yǒu）電壓、電流雙閉環操控電路，可實時對輸出（chū）電壓電流的操控，能有用處理濺射過程中（zhōng）陰極靶麵的不清潔導致弧光放（fàng）電造成大（dà）電流衝擊導致電源（yuán）的損壞疑問（wèn）。選用數字化DSP操控技術，主動操控電源的恒壓恒流狀況。在起弧和維弧時能主動疾速操控電壓電流使（shǐ）起弧和維弧作業更（gèng）安穩。

真空室裏的堆積條件跟（gēn）著時刻（kè）發作改動是常見的表象。在一輪運轉過中，蒸（zhēng）發（fā）源（yuán）的特（tè）性會跟著膜材的耗費而改動（dòng），尤其是規劃中觸及多層鍍膜（mó）時，假（jiǎ）如技術進程需繼續數個小時，真空室的熱梯度也會上升。一起（qǐ），當真空室內壁發作堆積（jī）變髒時，不一樣次序的工效逐步發生區別。這（zhè）些要素雖然是漸進的（de）並可以進行抵償，但仍然大概將其視為體係公役的一部分。