江蘇MSB中頻磁控濺射真空鍍膜（mó）電源

主要型（xíng）號：

主要（yào）特點：

   A 采用先進的電流（liú）型（xíng）開關電源技術（shù），減小輸出儲能元件，
同時提高（gāo）了抑製打火及重啟速度，應用在（zài）鋁靶鍍膜優勢更為明顯。
   B 具備恒流/恒功率模式可選。恒功率模式相對於傳（chuán）統的恒流模式，
更能保證鍍（dù）膜工（gōng）藝的重複性。
   C 具有理想的（de）電壓陡（dǒu）降特性，自動識別偽打（dǎ）火現象，
充分滿足磁控濺射工藝過程的連續性。
   D 主要參數可大範圍調節（jiē）
   E 可選擇手動控製/模擬量接口控製，可選配RS485通訊（xùn）接口。
采用先進（jìn）的PWM脈寬調製技術，使用進（jìn）口IGBT或MOSFET作為功率開關（guān）器件（jiàn），
體積小、重量輕、功能全（quán）、性能穩定可靠，生產工藝嚴格完善。
該係列產品采用先進的DSP控製係統，充分（fèn）保證鍍膜工藝的重複性，
並且具有抑製靶材弧光放電及抗短路功能，
具（jù）有極佳的負載匹配能力，既保證了靶麵清洗工（gōng）藝的穩定性，又提高了靶麵清洗速度；
主要參數（shù）均可大範圍連續（xù）調（diào）節；
方便維護，可（kě）靠（kào）性高；
PLC接口和RS485接口擴展（zhǎn）功能，方便實現自動（dòng）化控製。

MSB係列（liè）雙極脈衝磁控濺射電源（中（zhōng）頻電源）

主要用（yòng）途：

雙極（jí）脈衝磁控濺射電源用於中（zhōng）頻孿生靶磁控濺金屬或非金屬材料，特別適合於反應磁控（kòng）濺（jiàn）射。能增加離化率，減少電（diàn）荷積累引起的異（yì）常放電，預防靶表麵中毒現象。

在真空鍍（dù）膜（mó）電源時（shí），使用（yòng）直流負（fù）偏壓電源，其（qí）中運（yùn）用直流電源，這個電源的電（diàn）子方向一直統一，會導（dǎo）致單一品種電荷堆積過高與控製（zhì）源中和。也（yě）就是說用來提供動力（lì）的正負極（jí）被中和了。然（rán）後磁（cí）控濺射將不再持續。所以選用脈衝電源。

在真空中製備膜（mó）層，包含鍍製晶（jīng）態的金屬、半導體（tǐ）、絕緣體等單質或化合（hé）物膜。雖然化學汽相堆積也選用減壓、低壓或等離子體等真空手法，但一般真空鍍膜是指用物理的辦法堆積薄膜。真空鍍膜有三種方式，即蒸發鍍膜、濺射鍍膜和離子鍍。

真空鍍膜技（jì）能（néng）初現（xiàn）於20世紀30年代，四五十年代開端呈現工（gōng）業使用（yòng），工業化大規模出產開端（duān）於20世紀80年代，在電子、宇航、包（bāo）裝（zhuāng）、裝潢、燙金印刷等工業中獲得廣泛的使用。真空鍍膜是指在真空環境下，將某種（zhǒng）金屬或金屬化合物以氣相的方（fāng）式堆積到資料外表（biǎo）（通常是非金屬資料（liào）），歸於物理氣相堆積工藝。由於（yú）鍍層常為金屬薄膜，故也稱真（zhēn）空金（jīn）屬（shǔ）化。廣義的真空（kōng）鍍（dù）膜還包含在金屬或非金屬資料外表（biǎo）真空蒸鍍聚合物等非金屬功用（yòng）性薄膜。在所有（yǒu）被鍍資猜（cāi）中，以塑料樶為常（cháng）見，其（qí）次，為紙張鍍膜。相對於金屬、陶瓷、木材等資料，塑料具有來曆充足、性能易於調控、加工方便等優勢，因此品種繁多的塑（sù）料或（huò）其他高分子（zǐ）資料作為工程裝修性結構資料，大量使用於轎車、家電、日用包裝、工藝裝修（xiū）等工業領域（yù）。但塑料（liào）資料大多存在外表硬度不（bú）高、外（wài）觀不行華麗、耐磨性低等缺點，如在塑料外表蒸鍍一層極薄的金屬薄膜（mó），即可賦予塑料程亮的金屬外觀，合適（shì）的金屬源還可大大增加資料外表（biǎo）耐磨性能，大大拓寬了塑料的裝修性和使用範圍。

真空鍍膜的功用是多方麵（miàn）的，這也決議了其使用場合非常豐（fēng）富。整體來說，真空鍍膜的（de）主（zhǔ）要功用包含賦予被鍍件外表（biǎo）高（gāo）度金屬光澤和鏡麵效果，在薄膜資料上使膜層具（jù）有超卓的隔絕性能，提供優異（yì）的電磁屏蔽和（hé）導電效果。