主要型號:
型號 | 功率(W) | 工(gōng)作電壓(V) | 蕞大峰值電流(A) | 外形尺寸 | 冷卻方式 |
MS-10A | 400W | -40~+40 | -10~+10 | 482*175*550 (WHD)[4U] | 風冷 |
MS-20A | 800W | -40~+40 | -20~+20 | ||
MS-30A | 1200W | -40~+40 | -30~+30 |
主要(yào)特點:
A 可(kě)選擇三角波、矩形波(bō)、正弦波三種波形,波形的蕞高值和蕞低值可獨立設置。
B輸出電壓範圍:-40V~+40V。
C波形(xíng)頻率範圍:0.1-50Hz
D三角波、矩形波占空比10%~90%
E 可選擇手動控製/模擬量接口控製,可選配(pèi)RS485通訊接(jiē)口。
采用先進的PWM脈寬調製技術,使(shǐ)用進口IGBT或MOSFET作為(wéi)功率開關器件(jiàn),
體積小、重量(liàng)輕、功能全、性能穩定可(kě)靠(kào),生產工藝嚴格完善。
該係列產品采用先進的DSP控製係統,充分保證鍍膜工藝的重複性,
並且具有抑製(zhì)靶材(cái)弧光放電及抗短路功能,
具(jù)有極佳(jiā)的負載匹配能力,既保證了靶麵清洗工藝的穩定性,又提高了(le)靶麵清洗速度;
主要參數(shù)均可(kě)大範圍連續調節(jiē);
方(fāng)便維護,可(kě)靠性高;
PLC接口和(hé)RS485接口擴展功(gōng)能,方便實現自動(dòng)化控製。
主要用途:
MS係列勵磁(cí)多波形電源選擇多種電壓波形輸出。通過驅動多弧靶外圍磁場線圈,產(chǎn)生(shēng)周期性可變磁磁場,使多弧輝光由原來的集中放電變為均勻放電,提高工件膜層質量
現在工業(yè)區,在範圍上擴展的(de)是越來越廣(guǎng),跟隨w17c起草视频行業的發展,現在機械設(shè)備研發的是(shì)越來越多,當然啦(lā),研(yán)發那麽多,在一些加工廠家肯定是要應用到(dào)的啦,在範(fàn)圍上,在數量上都不(bú)會少,現在w17c起草视频來了(le)解下真空鍍(dù)膜電源這項項目吧!
1、在光學儀器(qì)中:人們熟悉的光學儀器有望遠鏡、顯微鏡、照相機、測距儀,以及日常生活用(yòng)品中的鏡子、眼鏡、放大鏡等,它們都離不開鍍膜技術,鍍製的薄膜有反射膜、增(zēng)透膜和吸收膜等(děng)幾種。
2、在(zài)信息存儲領域中:薄(báo)膜材料作(zuò)為信息記錄於(yú)存儲介質,有其得天(tiān)獨厚的優(yōu)勢:由於薄膜很薄,可以忽略渦流損耗;磁化反轉(zhuǎn)極為迅速;與膜麵(miàn)平行的雙穩態狀態容易保持等。為了更精密地記錄與存儲信息,必然要采用鍍膜技術。
3、在傳感器方麵:在傳感(gǎn)器中(zhōng),多采用那(nà)些電氣性質相對於物理量、化學量及其變化(huà)來說(shuō),極(jí)為敏(mǐn)感的半導體材料。此外,其中,大多數利用的是半導體的表麵、界麵的性質,需要盡量增大其麵積,且能工業化(huà)、低價(jià)格製作,因此,采用(yòng)薄膜的情況很多。
4、在集成電路製造中:晶體管路中的保護層(SiO2、Si3N4)、電(diàn)極(jí)管線(多晶矽、鋁、銅及其合金)等,多是采用CVD技(jì)術、PVCD技術、真空蒸發(fā)金屬技術、磁控濺射技(jì)術和射頻濺射技術。可見,氣相沉積是製備集成電路的核心(xīn)技術之一。
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