主要型號:
型(xíng)號 | 功率(W) | 工作電壓(V) | 蕞大峰值電流(liú)(A) | 外形尺(chǐ)寸 | 冷卻方式 |
MS-10A | 400W | -40~+40 | -10~+10 | 482*175*550 (WHD)[4U] | 風冷 |
MS-20A | 800W | -40~+40 | -20~+20 | ||
MS-30A | 1200W | -40~+40 | -30~+30 |
主要特點:
A 可選擇三角(jiǎo)波、矩形波、正弦波三種波形,波形的蕞高值和蕞低值可獨立設置。
B輸出電壓範圍:-40V~+40V。
C波形頻率範圍:0.1-50Hz
D三角波、矩形波占空比10%~90%
E 可選擇手動控製/模擬量接口控(kòng)製,可(kě)選配RS485通訊接口。
采用先進的PWM脈寬調製技術,使用進口IGBT或MOSFET作為功率開關器件,
體積小、重(chóng)量輕、功能全、性能穩定可靠,生產工藝嚴格完善。
該(gāi)係(xì)列產品采用先(xiān)進的DSP控製係統(tǒng),充分(fèn)保證鍍膜工藝的重複性,
並且具有抑製靶材(cái)弧光放電及抗短路功能,
具有極佳的負載(zǎi)匹配能力,既保證了(le)靶(bǎ)麵清(qīng)洗工藝的穩定性,又提高了靶麵清洗速度;
主要參數均可大範圍連續調節;
方便維護(hù),可靠性高;
PLC接口和RS485接口擴展功能,方便實現自動化控製。
主要用途(tú):
MS係列勵磁多波形電源選擇多種電壓波形輸出(chū)。通過驅動多弧靶外圍磁場(chǎng)線圈,產生周(zhōu)期(qī)性(xìng)可變磁磁場,使多弧輝(huī)光由原來的集中放電變為均勻放電,提高工件(jiàn)膜層質量
現在工業區,在範圍(wéi)上擴展的(de)是(shì)越來越廣,跟隨w17c起草视频行(háng)業的發展,現在機械設(shè)備研發的是(shì)越來越多(duō),當然啦,研發那麽多,在一(yī)些加工廠家肯定是要應(yīng)用到的啦,在範圍上,在數量上都不會少,現在w17c起草视频來了(le)解下真空鍍膜(mó)電源這項項目吧!
1、在光學儀器中:人們熟悉的光學儀器有望遠(yuǎn)鏡、顯微鏡、照相機、測距(jù)儀,以及日常生活用(yòng)品中(zhōng)的鏡子、眼鏡、放大鏡等,它們都(dōu)離(lí)不開鍍膜技術,鍍(dù)製的薄膜有反(fǎn)射膜、增透膜和吸收(shōu)膜等幾種。
2、在(zài)信息存儲領域中:薄膜材料作為信息(xī)記錄於存儲(chǔ)介質,有其得天獨厚的優勢:由於薄膜(mó)很薄,可以忽略渦流損耗;磁化反轉極為迅速;與膜麵(miàn)平行的雙穩態狀態容易保持等。為了更精密地記錄與存儲信息,必然要采用鍍膜技術。
3、在傳感器方麵:在傳感器中,多采(cǎi)用(yòng)那些電氣性(xìng)質相對於物理量、化學量及其(qí)變化來說,極為敏感的半導體材料。此外,其中,大多數利用的(de)是半導體的表麵、界麵的性質,需要盡量(liàng)增(zēng)大(dà)其麵積,且能工業化、低價格製作,因此,采(cǎi)用(yòng)薄膜的情況很多。
4、在集成電路製造中:晶體(tǐ)管路中的保護層(SiO2、Si3N4)、電極管線(xiàn)(多(duō)晶矽、鋁、銅及其合金)等,多是采用CVD技(jì)術、PVCD技術、真空蒸發金(jīn)屬技術、磁控(kòng)濺射技術和射頻(pín)濺射(shè)技術。可見,氣相沉積是(shì)製備(bèi)集成電路的核心技術之一。
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