武漢MSB中頻磁（cí）控濺射真空鍍膜電源

主要型號：

主（zhǔ）要特點：

   A 采用先進的電流型開關電源技術，減小輸（shū）出儲能元件，
同時提高了抑製打火及重啟速（sù）度，應用在鋁靶鍍膜優勢更為明顯。
   B 具備恒（héng）流/恒功率模式（shì）可選。恒功率模式（shì）相對於傳統的恒流模式（shì），
更能保證鍍膜工藝的重複性。
   C 具有理想的電壓陡降（jiàng）特性，自動識（shí）別偽打（dǎ）火現象，
充分滿足磁控濺射（shè）工藝過程的連續性。
   D 主（zhǔ）要（yào）參數可大範圍調節（jiē）
   E 可選擇手（shǒu）動控製/模擬（nǐ）量接口控製，可選配RS485通訊接口。
采用（yòng）先進的（de）PWM脈寬（kuān）調製技術，使用進口IGBT或MOSFET作為功率開關器件（jiàn），
體積小、重量輕、功能全、性能（néng）穩定可靠，生產工藝嚴格完善。
該係列產品采用先進的DSP控製係統，充分保證鍍膜工藝的重（chóng）複性（xìng），
並且（qiě）具有抑製（zhì）靶材弧光放電及抗短路功能，
具有極佳的負載匹配能（néng）力，既保（bǎo）證了靶麵清洗工藝的穩定性，又提高了靶麵清洗速度；
主要參數均可大範圍連續調節；
方便維護，可靠性高；
PLC接口和RS485接口（kǒu）擴展功能，方便實現自動化控製。

MSB係列（liè）雙極脈衝磁控濺射電源（中頻電源）

主要用（yòng）途（tú）：

雙極脈衝磁控濺射電源用於中頻孿生靶磁控濺金屬或非金屬材料，特別適合於反應磁控（kòng）濺射。能（néng）增加離化率（lǜ），減少電荷積累引起的異常放電，預防靶表麵（miàn）中毒現象。

在真空鍍膜（mó）電源時，使用直流負偏壓（yā）電源，其中運（yùn）用直流電源（yuán），這（zhè）個電源的電子方向一直統一（yī），會導致單（dān）一品種電荷堆積（jī）過高與控製源中和。也就是說用來提供動力的正負（fù）極被中和了。然後磁控濺射將不再持續。所以選用（yòng）脈衝電源。

在真空中製備膜層，包含鍍製晶態的金屬、半導體、絕緣體等單（dān）質或化合物膜。雖然化學汽相堆積（jī）也選用減壓、低壓或等離子體（tǐ）等真空手（shǒu）法，但一般真空鍍膜是指用物理的辦法堆積薄膜。真空鍍膜有三種（zhǒng）方式，即蒸發鍍膜、濺射鍍膜和離子鍍。

真空鍍（dù）膜技能初現於20世紀30年代，四五十年代開端呈現（xiàn）工業使用，工業化大規模出產開端於（yú）20世紀80年代，在（zài）電子、宇航、包裝（zhuāng）、裝潢、燙金印刷等工業中獲得廣泛的使用。真空鍍膜是指（zhǐ）在（zài）真空環境下，將某種（zhǒng）金屬或金（jīn）屬化合物以氣相的方式堆積到資料外表（通常是非金屬資料），歸於物理氣相堆積工藝。由於鍍層常為金（jīn）屬薄膜，故也稱真空金屬化。廣義的真空鍍膜（mó）還包含在金屬或非金屬資料外（wài）表（biǎo）真空蒸（zhēng）鍍聚合物等非金屬功用性薄（báo）膜。在所有被鍍資猜中（zhōng），以塑料樶為常見，其次，為紙張鍍膜。相對於金屬、陶瓷、木（mù）材等資料（liào），塑料具有來曆充足、性能易於（yú）調控、加工方便等優勢，因此品（pǐn）種繁多（duō）的塑料（liào）或其他高分子資料作為工程裝修性（xìng）結構資料，大量使用（yòng）於轎車、家電、日用包裝、工藝裝修等工業領域。但塑料資料大多存在外表硬度不（bú）高、外觀不行華（huá）麗、耐磨性低等缺點，如在塑料外表蒸鍍一層極薄的金（jīn）屬薄膜，即可賦予塑料程亮（liàng）的金（jīn）屬外觀，合適的金屬源還可大大增加資料外表耐磨性能，大大拓寬了（le）塑料的裝修性和使用範圍。

真空鍍膜的功用是（shì）多方麵的，這也決議了其使用場合非常（cháng）豐（fēng）富（fù）。整體來說，真空鍍膜的主要功用包含賦予被鍍件外表高度金屬（shǔ）光澤和鏡麵效果，在薄膜資料（liào）上使膜層具有超卓的隔絕性能，提供優異的電磁屏蔽和導電效果。